HN3C10FUTE85LF
- Номер на частта:
- HN3C10FUTE85LF
- Производител:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- описание:
- TRANSISTOR NPN US6
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 52791 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- HN3C10FUTE85LF.pdf
Въведение
We can supply HN3C10FUTE85LF, use the request quote form to request HN3C10FUTE85LF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HN3C10FUTE85LF.The price and lead time for HN3C10FUTE85LF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HN3C10FUTE85LF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-HN3C10FUTE85LF |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Напрежение - Разпределение на излъчвателя на колектора (макс.): | 12V |
| Транзисторен тип: | 2 NPN (Dual) |
| Пакет на доставчик на устройства: | US6 |
| серия: | - |
| Мощност - макс: | 200mW |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Други имена: | HN3C10FUTE85LFCT |
| Работна температура: | - |
| Шумовата фигура (dB Тип @ f): | 1.1dB @ 1GHz |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Печалба: | 11.5dB |
| Честота - Преход: | 7GHz |
| Подробно описание: | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ток на печалба (hFE) (Мин.) @ Ic, Vce: | 80 @ 20mA, 10V |
| Ток - колектор (Ic) (макс.): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за HN3C10FUTE85LF
Latest News
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Toshiba пусна първия 200V транзистор изходен автомобил оптрона
- TOSHIBA пуска висок коефициент на отхвърляне на пулсации и LDO регулатор с нисък шум с по-висока стабилност на електропровода
- TOSHIBA представя тънки и леки оптрони за IGBT и MOSFET задвижване, високотемпературна работа, задни или ограничени позиции: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA пуска дискретни IGBT, които помагат за намаляване на консумацията на енергия и излъчването на домакински уреди: GT30J110SRA
- Toshiba пуска 5A 2-канален интегрален модул за мотор с H-мост за автомобилни приложения
- Toshiba пуска 5 нови усъвършенствани микроконтролери от семейството TXZ + ™, за да постигне ниска консумация на енергия, поддържа миниатюризация на системата и управление на двигателя