FQI5N30TU
- Номер на частта:
- FQI5N30TU
- Производител:
- ON Semiconductor
- описание:
- MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 45864 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- FQI5N30TU.pdf
Въведение
We can supply FQI5N30TU, use the request quote form to request FQI5N30TU pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQI5N30TU.The price and lead time for FQI5N30TU depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQI5N30TU.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-FQI5N30TU |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | I2PAK (TO-262) |
| серия: | QFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 3.13W (Ta), 70W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 300V |
| Подробно описание: | N-Channel 300V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 70W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 5.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за FQI5N30TU
Latest News
- OnSemi стартира първия в света опаковка за такси 650 V силициев карбид MOSFET
- Комплектът за разработка на двигатели ON Semiconductor се фокусира първо върху енергийната ефективност
- ON Semiconductor’s silicon photomultiplier (SiPM) lidar platform с директно време на полет (dToF) предоставя готови дизайни за индустриални приложения
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International установяват партньорство за приложения за управление на двигателя
- ON Semiconductor назначава Hassane El-Khoury за главен изпълнителен директор (CEO)