FDFMA2P859T
- Номер на частта:
- FDFMA2P859T
- Производител:
- ON Semiconductor
- описание:
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 37351 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- FDFMA2P859T.pdf
Въведение
We can supply FDFMA2P859T, use the request quote form to request FDFMA2P859T pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDFMA2P859T.The price and lead time for FDFMA2P859T depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDFMA2P859T.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-FDFMA2P859T |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±8V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | MicroFET 2x2 Thin |
| серия: | PowerTrench® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 1.4W (Ta) |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Други имена: | FDFMA2P859TTR |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 435pF @ 10V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | Schottky Diode (Isolated) |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
| Подробно описание: | P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за FDFMA2P859T
Latest News
- OnSemi стартира първия в света опаковка за такси 650 V силициев карбид MOSFET
- Комплектът за разработка на двигатели ON Semiconductor се фокусира първо върху енергийната ефективност
- ON Semiconductor’s silicon photomultiplier (SiPM) lidar platform с директно време на полет (dToF) предоставя готови дизайни за индустриални приложения
- ON Semiconductor и Theta Power Systems International установяват партньорство за приложения за управление на двигателя
- ON Semiconductor назначава Hassane El-Khoury за главен изпълнителен директор (CEO)