Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > APT6013LLLG
APT6013LLLG
APT6013LLLG
Номер на частта:
APT6013LLLG
Производител:
Microsemi
описание:
MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Статус на RoHS:
Без олово / RoHS съвместим
Количество на склад:
30303 Pieces
Време за доставка:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Време за производство:
4-8 weeks
Информационен лист:
APT6013LLLG.pdf
Разследване

Въведение

We can supply APT6013LLLG, use the request quote form to request APT6013LLLG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT6013LLLG.The price and lead time for APT6013LLLG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT6013LLLG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификации

Вътрешен номер на част RO-APT6013LLLG
състояние Original New
Произход на страната Contact us
Най-висока маркировка email us
Замяна See datasheet
Изпитване на напрежение:5630pF @ 25V
Напрежение - Разбивка:TO-264 [L]
Vgs (th) (Max) @ Id:130 mOhm @ 21.5A, 10V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
серия:POWER MOS 7®
Състояние на RoHS:Tube
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:43A (Tc)
поляризация:TO-264-3, TO-264AA
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Номер на частта на производителя:APT6013LLLG
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:130nC @ 10V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:5V @ 2.5mA
FET Feature:N-Channel
Разширено описание:N-Channel 600V 43A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):-
описание:MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:600V
Съотношение на капацитета:565W (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за APT6013LLLG

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
APT6040BNG Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Разследване
APT6017LFLLG Image APT6017LFLLG Microsemi MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 Разследване
APT58M50JCU3 Image APT58M50JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 Разследване
APT58M50JU3 Image APT58M50JU3 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 Разследване
APT58M80J Image APT58M80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 Разследване
APT6040BN Microsemi MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD Разследване
APT6030BN Microsemi MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD Разследване
APT5F100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 Разследване
APT6017LLLG Image APT6017LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 Разследване
APT58MJ50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP Разследване
APT6010B2LLG Image APT6010B2LLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX Разследване
APT60D100BG Image APT60D100BG Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 Разследване
APT60D120BG Image APT60D120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 Разследване
APT5SM170B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 Разследване
APT60D100LCTG Image APT60D100LCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 Разследване
APT5SM170S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK Разследване
APT60D100SG Image APT60D100SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 Разследване
APT58M50JU2 Image APT58M50JU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 Разследване
APT6013JLL Image APT6013JLL Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 Разследване
APT60D120SG Image APT60D120SG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3 Разследване

Latest News