أعلنت شركة Toshiba Electronic Component and Storage Device Co. ، Ltd. ("Toshiba") اليوم أن إطلاق نماذج من طراز S-Togltm الجديد من Toshiba (دبابيس ترانتستور صغيرة في ترانتور-غول) و U-MOS IX-H Craft Chip Tao Power Mosfet- "XPJR6604PB" و "XPJ1R004PB".بدأ منتجان في دعم شحنات الدُفعات اليوم.

يمكن أن تضمن تطبيقات التحدث مثل أنظمة القيادة المستقلة الموثوقية من خلال التصميم الزائد. وبالتالي ، مقارنة بالنظام القياسي ، فإنها تدمج المزيد من الأجهزة وتتطلب مساحة أكبر اللوحي.لذلك ، لزيادة تقليل حجم معدات السيارة ، يمكن تعبئة Power MoSFET بكثافة التيار العالي.

XPJR6604PB و XPJ1R004PB استخدم عبوة S-TOGLTM الجديدة من Toshiba (7.0 مم × 8.44 ملم [1]) ، والتي تتميز بهيكل عمود غير مرضي يدمج الموصلات القطبية المصدر والدبابيس الخارجية.يقلل بنية التحويل المتعددة من دبوس المصدر من مقاومة التغليف.

بالمقارنة مع منتجات التغليف Toshiba to-220sm (W) [2] مع نفس المقاومة الحرارية ، يمكن تحقيق تعبئة S-Togltm وعملية Toshiba U-MOS IX-H ، والتي يمكن أن تحقق انخفاضًا كبيرًا في مقاومة الملعب بنسبة 11 ٪ .بالمقارنة مع عبوة To-220sm (W) ، قللت العبوة الجديدة منطقة ملصق الجدول المطلوبة بحوالي 55 ٪.بالإضافة إلى ذلك ، يمكن للمنتجات المعبأة حديثًا أن توفر تيارًا مؤلفًا من 200A ، وهو أعلى من منتجات DPAK + مثل Toshiba (6.5 مم × 9.5 مم [1]) ، وبالتالي تحقيق تيار كبير.بشكل عام ، يمكن أن تحقق عبوة S-TOGLTM تخطيطًا عالي الكثافة ومضغوط ، وتقليل حجم معدات السيارات ، وتساعد على تحقيق تبديد عالية الحرارة.

نظرًا لأن معدات السيارات قد تعمل في بيئات درجة الحرارة القصوى ، فإن موثوقية تركيب السطح لمفاصل اللحام هي اعتبار رئيسي.تستخدم عبوة S-TOGLTM دبابيس Gull-Wing ، والتي يمكن أن تقلل من إجهاد الجدول وتحسين موثوقية مفصل اللحام.

عندما يُطلب من أجهزة متعددة توفير تيارات عاملة أكبر للتطبيقات ، تدعم Toshiba هذين المنتجين الجديدين ليتم شحنه في جهد عتبة الشبكة [3].هذا يمكن أن يضمن أن التصميم يستخدم نفس المجموعة من المنتجات الأخرى لتقليل الانحراف المميز.

ستستمر Toshiba في توسيع خط إنتاج أشباه الموصلات الخاص به والمساهمة في حياد الكربون من خلال أجهزة الطاقة ذات الأداء الصديقة والعالية الأداء.

طلب

معدات السيارات: العاكس ، ترحيل أشباه الموصلات ، مفتاح التحميل ، سائق المحرك ، إلخ.

صفة مميزة

-حزمة S-Togltm الجديدة الجديدة: 7.0 مم × 8.44 مم (قيمة نموذجية)

-GE تيار استنزاف عالية التصنيف:

XPJR6604PB: ID = 200A

XPJ1R004PB: ID = 160A

شهادة AEC-Q101

-Suvang 16949/PPAP [4]

-المقاومة المنخفضة الدقيقة:

XPJR6604PB: RDS (ON) = 0.53M؟ (القيمة النموذجية) (VGS = 10V)

XPJ1R004PB: RDS (ON) = 0.8M؟ (القيمة النموذجية) (VGS = 10V)