NTJD1155LT1G
NTJD1155LT1G
رقم القطعة:
NTJD1155LT1G
الصانع:
ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
80209 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
NTJD1155LT1G.pdf

المقدمة

We can supply NTJD1155LT1G, use the request quote form to request NTJD1155LT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTJD1155LT1G.The price and lead time for NTJD1155LT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTJD1155LT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-NTJD1155LT1G
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:SC-88/SC70-6/SOT-363
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
السلطة - ماكس:400mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:NTJD1155LT1GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:50 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Standard
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):8V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.3A
رقم جزء القاعدة:NTJD1155
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات