رقم الجزء الداخلي | RO-MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR |
---|---|
شرط | Original New |
بلد المنشأ | Contact us |
أعلى العلامات | email us |
إستبدال | See datasheet |
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 3.6 V |
تكنولوجيا: | FLASH - NAND |
سلسلة: | - |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
اسماء اخرى: | MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR-ND MT29F64G08CBCGBWP-10ES:GTR |
درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
حجم الذاكرة: | 64Gb (8G x 8) |
واجهة الذاكرة: | Parallel |
تنسيق الذاكرة: | FLASH |
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
وصف تفصيلي: | FLASH - NAND Memory IC 64Gb (8G x 8) Parallel 100MHz |
تردد على مدار الساعة: | 100MHz |
Email: | [email protected] |