العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT12N150HV
IXTT12N150HV
IXTT12N150HV
رقم القطعة:
IXTT12N150HV
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
بنفايات الحالة:
خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
54153 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXTT12N150HV.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply IXTT12N150HV, use the request quote form to request IXTT12N150HV pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTT12N150HV.The price and lead time for IXTT12N150HV depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTT12N150HV.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-IXTT12N150HV
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:-
تبديد الطاقة (ماكس):890W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free by exemption / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3720pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:106nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1500V
وصف تفصيلي:N-Channel 1500V 12A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT12N150HV

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTT12N150 Image IXTT12N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268 تحقيق
IXTT1N250HV Image IXTT1N250HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV تحقيق
IXTT10N100D Image IXTT10N100D IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 تحقيق
IXTT10P50 Image IXTT10P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-268 تحقيق
IXTT16N10D2 Image IXTT16N10D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 تحقيق
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTT16P60P Image IXTT16P60P IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 تحقيق
IXTT12N140 Image IXTT12N140 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1400V 12A TO268 تحقيق
IXTT1N100 Image IXTT1N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 تحقيق
IXTT10P60 Image IXTT10P60 IXYS Corporation MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 تحقيق
IXTT10N100D2 Image IXTT10N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 تحقيق
IXTT110N10P Image IXTT110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTT120N15P Image IXTT120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 تحقيق
IXTT16N20D2 Image IXTT16N20D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 16A TO-268 تحقيق
IXTT16N50D2 Image IXTT16N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 16A TO-268 تحقيق
IXTT140P10T Image IXTT140P10T IXYS Corporation MOSFET P-CH 100V 140A TO-268 تحقيق
IXTT170N10P Image IXTT170N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 تحقيق
IXTT16P20 Image IXTT16P20 IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 16A TO-268 تحقيق
IXTT11P50 Image IXTT11P50 IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 11A TO-268 تحقيق
IXTT140N10P Image IXTT140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 تحقيق

Latest الأخبار