العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
رقم القطعة:
IXFT42N50P2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
76634 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFT42N50P2.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply IXFT42N50P2, use the request quote form to request IXFT42N50P2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFT42N50P2.The price and lead time for IXFT42N50P2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFT42N50P2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-IXFT42N50P2
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 4mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:HiPerFET™, PolarHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:145 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):830W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:92nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:N-Channel 500V 42A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFT42N50P2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFT40N50Q Image IXFT40N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 تحقيق
IXFT44N50Q3 Image IXFT44N50Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 تحقيق
IXFT32N50 Image IXFT32N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
IXFT4N100Q Image IXFT4N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 تحقيق
IXFT44N50P Image IXFT44N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3 تحقيق
IXFT50N50P3 Image IXFT50N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A TO-268 تحقيق
IXFT40N30Q Image IXFT40N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 تحقيق
IXFT40N85XHV Image IXFT40N85XHV IXYS Corporation MOSFET NCH 850V 40A TO268HV تحقيق
IXFT340N075T2 Image IXFT340N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 340A TO268 تحقيق
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT50N60P3 Image IXFT50N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO268 تحقيق
IXFT400N075T2 Image IXFT400N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 تحقيق
IXFT40N30Q TR IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO268 تحقيق
IXFT50N20 Image IXFT50N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 50A TO-268 تحقيق
IXFT36N50P Image IXFT36N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXFT52N30Q Image IXFT52N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 تحقيق
IXFT50N30Q3 Image IXFT50N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 50A TO-268 تحقيق
IXFT32N50Q Image IXFT32N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 تحقيق
IXFT50N60X Image IXFT50N60X IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 50A TO268 تحقيق
IXFT50N85XHV Image IXFT50N85XHV IXYS Corporation 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق

Latest الأخبار