العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > APT9F100B
APT9F100B
APT9F100B
رقم القطعة:
APT9F100B
الصانع:
Microsemi
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكميه في المخزن:
57355 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days (We have stocks to ship now)
وقت الإنتاج:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.APT9F100B.pdf2.APT9F100B.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply APT9F100B, use the request quote form to request APT9F100B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT9F100B.The price and lead time for APT9F100B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT9F100B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

رقم الجزء الداخلي RO-APT9F100B
شرط Original New
بلد المنشأ Contact us
أعلى العلامات email us
إستبدال See datasheet
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 [B]
سلسلة:POWER MOS 8™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.6 Ohm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):337W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:21 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2606pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:80nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V
وصف تفصيلي:N-Channel 1000V 9A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT9F100B

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT94N65B2C6 Image APT94N65B2C6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX تحقيق
APTB1612LQBDCGKC Image APTB1612LQBDCGKC Kingbright LED BLUE/GREEN CLEAR 4SMD تحقيق
APT9F100S Image APT9F100S Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK تحقيق
APTB1612ESGC-F01 Image APTB1612ESGC-F01 Kingbright LED GREEN/RED CLEAR CHIP SMD تحقيق
APTB1612LSYKCGKC Image APTB1612LSYKCGKC Kingbright LED GREEN/YELLOW CLEAR 4SMD تحقيق
APTB1612LSURKSYKC Image APTB1612LSURKSYKC Kingbright LED RED/YELLOW CLEAR 4SMD تحقيق
APT8M100B Image APT8M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 تحقيق
APTB1612LVBDSEKJ3C Image APTB1612LVBDSEKJ3C Kingbright LED BLUE/RED CLEAR 4SMD تحقيق
APTB1612LSURKZGKC Image APTB1612LSURKZGKC Kingbright LED GREEN/RED CLEAR 4SMD تحقيق
APT9M100B Image APT9M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 تحقيق
APT94N65B2C3G Image APT94N65B2C3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 تحقيق
APT95GR65JDU60 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
APT94N60L2C3G Image APT94N60L2C3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 94A TO264 تحقيق
APTB1612LSURKQBDC Image APTB1612LSURKQBDC Kingbright LED BLUE/RED CLEAR 4SMD تحقيق
APT8DQ60KCTG Microsemi DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220 تحقيق
APT8M80K Microsemi MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 تحقيق
APTB1612LSURKCGKC Image APTB1612LSURKCGKC Kingbright LED GREEN/RED CLEAR 4SMD تحقيق
APT97N65LC6 Microsemi MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 تحقيق
APT95GR65B2 Image APT95GR65B2 Microsemi IGBT 650V 208A 892W T-MAX تحقيق
APT90DR160HJ Image APT90DR160HJ Microsemi DIODE MODULE 1.6V SOT227 تحقيق

Latest الأخبار