內部型號 | RO-SIHB12N60ET1-GE3 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-263 (D²Pak) |
系列: | E |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
功率耗散(最大): | 147W (Tc) |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 937pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 58nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
詳細說明: | N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |