FDFMA3N109
- Parça Numarası:
- FDFMA3N109
- Üretici firma:
- ON Semiconductor
- Açıklama:
- MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
- RoHS Durumu:
- Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
- stok adedi:
- 55717 Pieces
- Teslimat süresi:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Üretim süresi:
- 4-8 weeks
- Veri Sayfası:
- FDFMA3N109.pdf
Giriş
We can supply FDFMA3N109, use the request quote form to request FDFMA3N109 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDFMA3N109.The price and lead time for FDFMA3N109 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDFMA3N109.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Özellikler
| Dahili Parça Numarası | RO-FDFMA3N109 |
|---|---|
| Şart | Original New |
| Ülke kökenli | Contact us |
| En İyi İşaretleme | email us |
| Değiştirme | See datasheet |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±12V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 6-MicroFET (2x2) |
| Dizi: | PowerTrench® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.5W (Ta) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Diğer isimler: | FDFMA3N109CT FDFMA3N109CT-ND FDFMA3N109FSCT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Üretici Standart Teslimat Süresi: | 39 Weeks |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 220pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | Schottky Diode (Isolated) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.5V, 4.5V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 2.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
FDFMA3N109 için ilgili parçalar
Latest Haberleri
- Onsemi, dünyanın ilk ücretli ambalajını 650 v Silikon Karbür Mosfet'i başlattı
- ON Semiconductor'ın motor geliştirme kiti önce enerji verimliliğine odaklanır
- ON Semiconductor’ın silikon fotomultiplier (SiPM) doğrudan uçuş zamanı (dToF) lidar platformu, endüstriyel uygulamalar için hazır tasarımlar sağlar
- ON Semiconductor ve Theta Power Systems International, motor kontrol uygulamaları için ortaklık kuruyor
- ON Semiconductor, halefi CEO (CEO) olarak Hassane El-Khoury'yi atadı