Türk dili
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Hakkımızda | Bizimle iletişime geçin | Bir teklif isteği |
Ev > Ürünler > Ayrı Yarıiletken Ürünler > Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli > APT38F80B2
APT38F80B2
APT38F80B2
Parça Numarası:
APT38F80B2
Üretici firma:
Microsemi
Açıklama:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
stok adedi:
52317 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Üretim süresi:
4-8 weeks
Veri Sayfası:
1.APT38F80B2.pdf2.APT38F80B2.pdf
soruşturma

Giriş

We can supply APT38F80B2, use the request quote form to request APT38F80B2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT38F80B2.The price and lead time for APT38F80B2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT38F80B2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Özellikler

Dahili Parça Numarası RO-APT38F80B2
Şart Original New
Ülke kökenli Contact us
En İyi İşaretleme email us
Değiştirme See datasheet
Id @ Vgs (th) (Max):5V @ 2.5mA
Vgs (Maks.):±30V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:T-MAX™ [B2]
Dizi:POWER MOS 8™
Id, VGS @ rds On (Max):240 mOhm @ 20A, 10V
Güç Tüketimi (Max):1040W (Tc)
paketleme:Tube
Paket / Kutu:TO-247-3 Variant
Diğer isimler:APT38F80B2MI
APT38F80B2MI-ND
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Through Hole
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:21 Weeks
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:8070pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:260nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):800V
Detaylı Açıklama:N-Channel 800V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):41A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar

APT38F80B2 için ilgili parçalar

görüntü Parça Numarası Üreticiler Açıklama Görünüm
APT4065BNG Microsemi MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD soruşturma
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 soruşturma
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX soruşturma
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK soruşturma
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 soruşturma
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 soruşturma
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 soruşturma
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP soruşturma
APT4012BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD soruşturma
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 soruşturma
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 soruşturma
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 soruşturma
APT38N60SC6 Image APT38N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK soruşturma
APT39F60J Image APT39F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 soruşturma
APT4016BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-247 soruşturma
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK soruşturma
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 soruşturma
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 soruşturma
APT4012BVR Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD soruşturma
APT39M60J Image APT39M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 soruşturma

Latest Haberleri