STI18NM60N
STI18NM60N
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STI18NM60N
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
63536 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
STI18NM60N.pdf

บทนำ

We can supply STI18NM60N, use the request quote form to request STI18NM60N pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number STI18NM60N.The price and lead time for STI18NM60N depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# STI18NM60N.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-STI18NM60N
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I2PAK
ชุด:MDmesh™ II
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:285 mOhm @ 6.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):110W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1000pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:35nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:13A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ