หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-PSMN130-200D,118 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DPAK |
ชุด: | TrenchMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 25A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 150W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | 1727-6296-2 568-8114-2 568-8114-2-ND 934055761118 PSMN130-200D /T3 PSMN130-200D /T3-ND PSMN130-200D,118-ND |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2470pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 200V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 200V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |