IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFN50N80Q2
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
34870 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
IXFN50N80Q2.pdf

บทนำ

We can supply IXFN50N80Q2, use the request quote form to request IXFN50N80Q2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN50N80Q2.The price and lead time for IXFN50N80Q2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN50N80Q2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-IXFN50N80Q2
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227B
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1135W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:260nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 800V 50A (Tc) 1135W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest