ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT41M80B2
APT41M80B2
APT41M80B2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT41M80B2
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
89362 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APT41M80B2.pdf2.APT41M80B2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT41M80B2, use the request quote form to request APT41M80B2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT41M80B2.The price and lead time for APT41M80B2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT41M80B2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT41M80B2
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:T-MAX™ [B2]
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 20A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1040W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:17 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:8070pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:260nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 800V 43A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:43A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT41M80B2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT40N60JCU3 Image APT40N60JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 การสอบสวน
APT40SM120B Image APT40SM120B Microsemi MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 การสอบสวน
APT43GA90B Image APT43GA90B Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO-247 การสอบสวน
APT40SM120S Image APT40SM120S Microsemi MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK การสอบสวน
APT40M75JN Microsemi MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP การสอบสวน
APT40M42JN Microsemi MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP การสอบสวน
APT40N60JCU2 Image APT40N60JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 การสอบสวน
APT44F80B2 Image APT44F80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX การสอบสวน
APT43F60L Image APT43F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 การสอบสวน
APT43F60B2 Image APT43F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX การสอบสวน
APT42F50S Image APT42F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK การสอบสวน
APT40SM120J Image APT40SM120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 การสอบสวน
APT40M70JVFR Image APT40M70JVFR Microsemi MOSFET N-CH 400V 53A SOT-227 การสอบสวน
APT40M70LVFRG Image APT40M70LVFRG Microsemi MOSFET N-CH 400V 57A TO-264 การสอบสวน
APT41M80L Image APT41M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 43A TO-264 การสอบสวน
APT43M60L Image APT43M60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A TO-264 การสอบสวน
APT43GA90BD30 Image APT43GA90BD30 Microsemi IGBT 900V 78A 337W TO247 การสอบสวน
APT43M60B2 Image APT43M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX การสอบสวน
APT41F100J Image APT41F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 การสอบสวน
APT42F50B Image APT42F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 42A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest