หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-71V416L12BEI |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 12ns |
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 3.6 V |
เทคโนโลยี: | SRAM - Asynchronous |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 48-CABGA (9x9) |
ชุด: | - |
บรรจุภัณฑ์: | Tray |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 48-TFBGA |
ชื่ออื่น: | IDT71V416L12BEI IDT71V416L12BEI-ND |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Mb (256K x 16) |
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
รูปแบบหน่วยความจำ: | SRAM |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
คำอธิบายโดยละเอียด: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 48-CABGA (9x9) |
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | IDT71V416 |
เวลาในการเข้าถึง: | 12ns |
Email: | [email protected] |