Internt delnummer | RO-SI7309DN-T1-GE3 |
---|---|
Tillstånd | Original New |
Ursprungsland | Contact us |
Toppmarkering | email us |
Ersättning | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverantörs Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Serier: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 3.9A, 10V |
Effektdissipation (Max): | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
Förpackning / Fodral: | PowerPAK® 1212-8 |
Andra namn: | SI7309DN-T1-GE3-ND SI7309DN-T1-GE3TR SI7309DNT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens normala ledtid: | 33 Weeks |
Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 30V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
FET-typ: | P-Channel |
FET-funktionen: | - |
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
Avlopp till källspänning (Vdss): | 60V |
detaljerad beskrivning: | P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |