Internt delnummer | RO-EPC2012CENGR |
---|---|
Tillstånd | Original New |
Ursprungsland | Contact us |
Toppmarkering | email us |
Ersättning | See datasheet |
Spänning - Test: | 100pF @ 100V |
Spänning - Uppdelning: | Die Outline (4-Solder Bar) |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 100 mOhm @ 3A, 5V |
Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serier: | eGaN® |
RoHS-status: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5A (Ta) |
Polarisering: | Die |
Andra namn: | 917-EPC2012CENGRTR |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstyp: | Surface Mount |
Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tillverkarens varunummer: | EPC2012CENGR |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1nC @ 5V |
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 1mA |
FET-funktionen: | N-Channel |
Utvidgad beskrivning: | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
Avlopp till källspänning (Vdss): | - |
Beskrivning: | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 200V |
Kapacitansförhållande: | - |
Email: | [email protected] |