DG2517EDQ-T1-GE3
- Artikelnummer:
- DG2517EDQ-T1-GE3
- Tillverkare:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beskrivning:
- IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- RoHS-status:
- Blyfri / Överensstämmer med RoHS
- Antal i lager:
- 41963 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
Introduktion
We can supply DG2517EDQ-T1-GE3, use the request quote form to request DG2517EDQ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DG2517EDQ-T1-GE3.The price and lead time for DG2517EDQ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DG2517EDQ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-DG2517EDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Spänning - Tillförsel, Enkel (V +): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Spänning - Tillförsel, Dual (V ±): | - |
| Byt tid (Ton, Toff) (Max): | 40ns, 33ns |
| Byt krets: | SPDT |
| Leverantörs Device Package: | 10-MSOP |
| Serier: | - |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / Fodral: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Andra namn: | DG2517EDQ-T1-GE3-ND DG2517EDQ-T1-GE3TR |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| On-State Resistance (Max): | 3.1 Ohm |
| Antal kretsar: | 2 |
| Multiplexer / Demultiplexer Circuit: | 2:1 |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 16 Weeks |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaljerad beskrivning: | 2 Circuit IC Switch 2:1 3.1 Ohm 10-MSOP |
| Nuvarande - Läckage (IS (av)) (Max): | - |
| Överhörning: | -62dB @ 1MHz |
| Laddningsinjektion: | -19.4pC |
| Kanal-till-kanal matchning (ΔRon): | 10 mOhm |
| Kanalkapacitans (CS (av), CD (av)): | - |
| -3db bandbredd: | 221MHz |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till DG2517EDQ-T1-GE3
Latest News
- ADI samarbetar med BMW Group för att lansera branschens ledande 10MB -bil Ethernet -teknik och öppnar ett nytt kapitel i programvarudefinitionskort
- Vishay lanserar knopppotentiometern och förenklar design av industriell och ljudapplikation och optimering av kostnader
- Toshiba lanserar SmartMCD Series Gate Driver IC med inbäddad mikrokontroller
- ADI -distribution Sambanova -kit, främjar produktionsformeln AI för att uppnå genombrott på en företagsnivå
- Honeywell och ADI gick samman för att marknadsföra innovation och förändring av byggnadsautomation
- Maxim tillkännagav lanseringen
- Maxim lanserar en bil DC-DC-omvandlare MAX16984, en bil med integrerade USB-laddningsupptagare
- Renesas Electronics lanserar branschens första programmerbara elektriska drivkraft
- Renesas lanserade den första generationen av 32-bitars RISC-V CPU-kärna
- Vishay lanserade den nya 10 MBD -lågkraftskopplingen, så låg som 5 mA, spänningsområdet är 2,7 V till 5,5 V
- Melexis lanserade en ny intelligent avledande lösning för att integrera tillförlitlig säkerhet
- Toshiba har utvecklat branschens första 2200V -dubbel -karbid MOSFET -modul för att hjälpa effektiv och miniatyrisering av industriell utrustning