TRS12E65C,S1Q
- Тип продуктов:
- TRS12E65C,S1Q
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 70870 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- TRS12E65C,S1Q.pdf
Введение
We can supply TRS12E65C,S1Q, use the request quote form to request TRS12E65C,S1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TRS12E65C,S1Q.The price and lead time for TRS12E65C,S1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TRS12E65C,S1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-TRS12E65C,S1Q |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.7V @ 12A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 650V |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-220-2L |
| скорость: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии: | - |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 0ns |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-220-2 |
| Другие названия: | TRS12E65C,S1Q(S TRS12E65CS1Q |
| Рабочая температура - Соединение: | 175°C (Max) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Silicon Carbide Schottky |
| Подробное описание: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 90µA @ 170V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 12A (DC) |
| Емкостной @ В.Р., F: | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для TRS12E65C,S1Q
Latest Новости
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Toshiba выпустила первый 20 транзисторного выхода автомобиль оптрон
- TOSHIBA представляет стабилизатор LDO с высоким коэффициентом подавления пульсаций и низким уровнем шума с более высокой стабильностью линии электропередачи.
- Компания TOSHIBA представила легкие и тонкие оптопары для управления затвором IGBT и MOSFET, работающие при высоких температурах, в положениях с задней стороны или с ограничением по высоте: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA выпускает дискретные IGBT, которые помогают снизить энергопотребление и излучение бытовой техники: GT30J110SRA
- Toshiba выпускает 2-канальную ИС драйвера двигателя с Н-мостом 5A для автомобильных приложений
- Toshiba выпускает 5 наборов новых усовершенствованных микроконтроллеров семейства TXZ + ™ для достижения низкого энергопотребления, поддержки миниатюризации системы и управления двигателем.