TPN2R503NC,L1Q
- Тип продуктов:
- TPN2R503NC,L1Q
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 37971 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- TPN2R503NC,L1Q.pdf
Введение
We can supply TPN2R503NC,L1Q, use the request quote form to request TPN2R503NC,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN2R503NC,L1Q.The price and lead time for TPN2R503NC,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN2R503NC,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-TPN2R503NC,L1Q |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.3V @ 500µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Серии: | U-MOSVIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 700mW (Ta), 35W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-PowerVDFN |
| Другие названия: | TPN2R503NC,L1Q(M TPN2R503NCL1Q TPN2R503NCL1QTR |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2230pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | N-Channel 30V 40A (Ta) 700mW (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для TPN2R503NC,L1Q
Latest Новости
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Toshiba выпустила первый 20 транзисторного выхода автомобиль оптрон
- TOSHIBA представляет стабилизатор LDO с высоким коэффициентом подавления пульсаций и низким уровнем шума с более высокой стабильностью линии электропередачи.
- Компания TOSHIBA представила легкие и тонкие оптопары для управления затвором IGBT и MOSFET, работающие при высоких температурах, в положениях с задней стороны или с ограничением по высоте: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA выпускает дискретные IGBT, которые помогают снизить энергопотребление и излучение бытовой техники: GT30J110SRA
- Toshiba выпускает 2-канальную ИС драйвера двигателя с Н-мостом 5A для автомобильных приложений
- Toshiba выпускает 5 наборов новых усовершенствованных микроконтроллеров семейства TXZ + ™ для достижения низкого энергопотребления, поддержки миниатюризации системы и управления двигателем.