русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > DMG1029SV-7
DMG1029SV-7
DMG1029SV-7
Тип продуктов:
DMG1029SV-7
производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
73661 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
DMG1029SV-7.pdf
запрос

Введение

We can supply DMG1029SV-7, use the request quote form to request DMG1029SV-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMG1029SV-7.The price and lead time for DMG1029SV-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMG1029SV-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-DMG1029SV-7
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - испытания:30pF @ 25V
Напряжение - Разбивка:SOT-563
Vgs (й) (Max) @ Id:1.7 Ohm @ 500mA, 10V
Серии:-
Статус RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500mA, 360mA
Мощность - Макс:450mW
поляризация:SOT-563, SOT-666
Другие названия:DMG1029SV-7DITR
DMG1029SV7
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Номер детали производителя:DMG1029SV-7
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:0.3nC @ 4.5V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:2.5V @ 250µA
FET Характеристика:N and P-Channel
Расширенное описание:Mosfet Array N and P-Channel 60V 500mA, 360mA 450mW Surface Mount SOT-563
Слить к источнику напряжения (VDSS):Logic Level Gate
Описание:MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:60V
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для DMG1029SV-7

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
DMG201020R Image DMG201020R Panasonic TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B запрос
DMG1023UV-7 Image DMG1023UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 запрос
DMG10N60SCT Diodes Incorporated MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB запрос
DMG1016VQ-7 Image DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT563 запрос
DMG2301L-7 Image DMG2301L-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 запрос
DMG204B00R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6 запрос
DMG1013UWQ-13 Image DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 запрос
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563 запрос
DMG214010R Panasonic TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6 запрос
DMG2301L-13 Image DMG2301L-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 запрос
DMG204A00R Panasonic TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6 запрос
DMG1024UV-7 Image DMG1024UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 запрос
DMG204020R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6 запрос
DMG1016VQ-13 Image DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT563 запрос
DMG1016V-7 Image DMG1016V-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT563 запрос
DMG1026UV-7 Image DMG1026UV-7 Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 запрос
DMG1016UDW-7 Image DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated MOSFET N/P-CH 20V SOT363 запрос
DMG204B10R Panasonic TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6 запрос
DMG204010R Image DMG204010R Panasonic TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6 запрос
DMG1013UWQ-7 Image DMG1013UWQ-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 запрос

Latest Новости