русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APTM60H23FT1G
APTM60H23FT1G
Тип продуктов:
APTM60H23FT1G
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
77890 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
1.APTM60H23FT1G.pdf2.APTM60H23FT1G.pdf
запрос

Введение

We can supply APTM60H23FT1G, use the request quote form to request APTM60H23FT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM60H23FT1G.The price and lead time for APTM60H23FT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM60H23FT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APTM60H23FT1G
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Поставщик Упаковка устройства:SP1
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:276 mOhm @ 17A, 10V
Мощность - Макс:208W
упаковка:Bulk
Упаковка /:SP1
Другие названия:APTM60H23UT1G
APTM60H23UT1G-ND
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:5316pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:165nC @ 10V
Тип FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET Характеристика:Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:20A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APTM60H23FT1G

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APTMC120AM12CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F запрос
APTM50SKM35TG Microsemi MOSFET N-CH 500V 99A SP4 запрос
APTM50SKM38TG Microsemi MOSFET N-CH 500V 90A SP4 запрос
APTM50UM13SAG Microsemi MOSFET N-CH 500V 335A SP6 запрос
APTMC120AM08CD3AG Image APTMC120AM08CD3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 запрос
APTMC120AM16CD3AG Image APTMC120AM16CD3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 запрос
APTMC120HR11CT3G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F запрос
APTM50UM09FAG Image APTM50UM09FAG Microsemi MOSFET N-CH 500V 497A SP6 запрос
APTMC120AM25CT3AG Image APTMC120AM25CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F запрос
APTM50TDUM65PG Image APTM50TDUM65PG Microsemi MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P запрос
APTM50UM19SG Microsemi MOSFET N-CH 500V 163A J3 запрос
APTMC120AM55CT1AG Image APTMC120AM55CT1AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 запрос
APTMC120AM09CT3AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F запрос
APTMC120HM17CT3AG Microsemi POWER MODULE - SIC MOSFET запрос
APTMC120AM20CT1AG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1 запрос
APTM50TAM65FPG Image APTM50TAM65FPG Microsemi MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P запрос
APTM60A23FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 запрос
APTM50UM25SG Microsemi MOSFET N-CH 500V 149A J3 запрос
APTMC120HR11CT3AG Microsemi POWER MODULE - SIC MOSFET запрос
APTM60A11FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 запрос

Latest Новости