ZXMN10A08E6TA
ZXMN10A08E6TA
Modelo do Produto:
ZXMN10A08E6TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
63754 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
ZXMN10A08E6TA.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-ZXMN10A08E6TA
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-26
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:250 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.1W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6
Outros nomes:ZXMN10A08E6CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:405pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 1.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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