TPCP8005-H(TE85L,F
TPCP8005-H(TE85L,F
Modelo do Produto:
TPCP8005-H(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
89334 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.TPCP8005-H(TE85L,F.pdf2.TPCP8005-H(TE85L,F.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-TPCP8005-H(TE85L,F
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PS-8 (2.9x2.4)
Série:U-MOSV-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):840mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:TPCP8005-HTE85LFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2150pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 11A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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