STI19NM65N
- Modelo do Produto:
- STI19NM65N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 32580 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- STI19NM65N.pdf
Introdução
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Especificações
| Número de peça interno | RO-STI19NM65N |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK |
| Série: | MDmesh™ II |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 270 mOhm @ 7.75A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 150W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 650V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 15.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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