SSR1N60BTM-WS
Modelo do Produto:
SSR1N60BTM-WS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
30960 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SSR1N60BTM-WS.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SSR1N60BTM-WS
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:12 Ohm @ 450mA, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SSR1N60BTM_WS
SSR1N60BTM_WS-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:215pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:900mA (Tc)
Email:[email protected]

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