SQ4920EY-T1_GE3
Modelo do Produto:
SQ4920EY-T1_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
87324 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SQ4920EY-T1_GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-SQ4920EY-T1_GE3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14.5 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max:4.4W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SQ4920EY-T1-GE3
SQ4920EY-T1-GE3-ND
SQ4920EY-T1_GE3-ND
SQ4920EY-T1_GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1465pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 4.4W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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