SI4866DY-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SI4866DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- Status de RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 64593 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempo de produção:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SI4866DY-T1-GE3.pdf
Introdução
We can supply SI4866DY-T1-GE3, use the request quote form to request SI4866DY-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4866DY-T1-GE3.The price and lead time for SI4866DY-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4866DY-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificações
| Número de peça interno | RO-SI4866DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Condição | Original New |
| País de origem | Contact us |
| Marcação superior | email us |
| Substituição | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 600mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.6W (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 33 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 2.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 12V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SI4866DY-T1-GE3
Latest Notícias
- Princípio de trabalho do capacitor
- Renesas é a primeira a lançar um RISC-V MCU universal de 32 bits com o kernel da CPU auto-desenvolvido
- No sensor de imagem de baixa potência de Anmei, enfrentando o sistema visual moderno
- A ADI coopera com o BMW Group para lançar a principal tecnologia de 10 MB de carro Ethernet da indústria, abrindo um novo capítulo em Automobiles de definição de software
- Vishay lança o potenciômetro do botão, simplificando o design de aplicativos industriais e de áudio e otimizando os custos
- Toshiba lança o IC do driver de portão da série SmartMCD com microcontrolador incorporado
- Implantação adi kit sambanova, promovendo a fórmula de produção ai para alcançar o avanço em um nível corporativo
- Honeywell e Adi uniram as mãos para promover a inovação e a mudança de automação de construção
- Maxim anunciou o lançamento
- Maxim lança um carro DC-DC Converter Max16984, um carro com enumers de carregamento USB integrado
- Renesas Electronics lança o primeiro driver elétrico programável da indústria IC
- Renesas lançou a primeira geração de kernel CPU RISC-V de 32 bits