PSMN3R0-60ES,127
PSMN3R0-60ES,127
Modelo do Produto:
PSMN3R0-60ES,127
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
46097 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PSMN3R0-60ES,127.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-PSMN3R0-60ES,127
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I2PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):306W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:1727-5437
568-6906-5
568-6906-5-ND
934064562127
PSMN3R060ES127
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8079pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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