PHN210,118
Modelo do Produto:
PHN210,118
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
34148 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
PHN210,118.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-PHN210,118
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.8V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 2.2A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:934033430118
PHN210 /T3
PHN210 /T3-ND
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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