MR756G
MR756G
Modelo do Produto:
MR756G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
DIODE GP 600V 6A MICRODE BUTTON
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
31113 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MR756G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MR756G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:900mV @ 6A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:Microde Button
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Button, Axial
Outros nomes:MR756GOS
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 600V 6A Through Hole Microde Button
Atual - dispersão reversa @ Vr:25µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):6A
Capacitância @ Vr, F:-
Número da peça base:MR756
Email:[email protected]

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