MMBT6517LT3G
MMBT6517LT3G
Modelo do Produto:
MMBT6517LT3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
77574 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
MMBT6517LT3G.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-MMBT6517LT3G
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Power - Max:225mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:MMBT6517LT3GOSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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