JAN1N5804URS
Modelo do Produto:
JAN1N5804URS
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
Status de RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
42252 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
JAN1N5804URS.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-JAN1N5804URS
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:875mV @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):100V
Embalagem do dispositivo fornecedor:A-MELF
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:Military, MIL-PRF-19500/477
Inversa de tempo de recuperação (trr):25ns
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, A
Outros nomes:1086-19432
1086-19432-MIL
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 100V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:25pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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