IRF7807PBF
IRF7807PBF
Modelo do Produto:
IRF7807PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
41912 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF7807PBF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IRF7807PBF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SP001570512
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

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