IRF6810STRPBF
IRF6810STRPBF
Modelo do Produto:
IRF6810STRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N CH 25V 16A S1
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
32239 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IRF6810STRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-IRF6810STRPBF
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 25µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET S1
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.2 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 20W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric S1
Outros nomes:IRF6810STRPBFCT
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1038pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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