Número de peça interno | RO-IPD12N03LB G |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11.6 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 52W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes: | IPD12N03LB G-ND IPD12N03LBGINTR IPD12N03LBGXT SP000016413 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 15V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
Descrição detalhada: | N-Channel 30V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |