FDR8702H
Modelo do Produto:
FDR8702H
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
84090 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FDR8702H.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-FDR8702H
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT™-8
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power - Max:800mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Gull Wing
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.6A, 2.6A
Email:[email protected]

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