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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > DMG963HE0R
DMG963HE0R
DMG963HE0R
Modelo do Produto:
DMG963HE0R
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
74505 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMG963HE0R.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-DMG963HE0R
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V, 30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SSMini5-F4-B
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms, 47 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Power - Max:125mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-665
Outros nomes:DMG963HE0R-ND
DMG963HE0RTR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini5-F4-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DMG963
Email:[email protected]

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Observações

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