Número de peça interno | RO-BC640TA |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 80V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 500mA |
Tipo transistor: | PNP |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
Série: | - |
Power - Max: | 1W |
Embalagem: | Tape & Box (TB) |
Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Outros nomes: | BC640TA-ND BC640TATB BC640TATR BC640TATR-ND |
Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequência - Transição: | 100MHz |
Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-92-3 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 150mA, 2V |
Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
Número da peça base: | BC640 |
Email: | [email protected] |