RQ3E180BNTB
- Part Number:
- RQ3E180BNTB
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 85769 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RQ3E180BNTB.pdf2.RQ3E180BNTB.pdf
Wprowadzenie
We can supply RQ3E180BNTB, use the request quote form to request RQ3E180BNTB pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RQ3E180BNTB.The price and lead time for RQ3E180BNTB depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RQ3E180BNTB.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-RQ3E180BNTB |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 3.9 mOhm @ 18A, 10V |
| Strata mocy (max): | 2W (Ta), 20W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-PowerVDFN |
| Inne nazwy: | RQ3E180BNTBTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 40 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3500pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 37nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | N-Channel 30V 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 39A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RQ3E180BNTB
Latest Aktualności
- ADI współpracuje z BMW Group, aby uruchomić wiodącą branżową technologię Ethernet 10 MB, otwierając nowy rozdział w definicji oprogramowania
- Vishay wprowadza potencjometr pokrętła, upraszcza projektowanie aplikacji przemysłowych i audio oraz optymalizując koszty
- Toshiba uruchamia IC Stern Series Series Series z wbudowanym mikrokontrolerem
- Adi wdrażanie zestawu sambanova, promując formułę produkcyjną AI w celu osiągnięcia przełomu na poziomie przedsiębiorstw
- Honeywell i Adi połączyli ręce, aby promować innowacje i zmianę automatyzacji budynku
- Maxim ogłosił premierę
- Maxim uruchamia CAR DC-DC Converter MAX16984, samochód ze zintegrowanymi wyliczającymi ładunki USB
- Renesas Electronics uruchamia pierwszego programowalnego sterownika elektrycznego w branży IC
- Renesas wprowadził pierwszą generację 32-bitowego jądra procesora RISC-V
- Vishay uruchomił nowe sprzężenie światła o niskiej mocy 10 MBD, tak niskie jak 5 mA, zakres napięcia wynosi od 2,7 V do 5,5 V
- Melexis uruchomił nowe inteligentne rozwiązywanie zmian w celu zintegrowania niezawodnego bezpieczeństwa
- Toshiba opracował pierwszy w branży moduł MOSFET 2200 V MOSFET, aby pomóc w wydajnej i miniaturyzacji sprzętu przemysłowego