HN3C51F-GR(TE85L,F
- Numero ng Bahagi:
- HN3C51F-GR(TE85L,F
- Manufacturer:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Paglalarawan:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
- Katayuan ng RoHS:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Dami sa Stock:
- 59766 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Oras ng produksyon:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf
pagpapakilala
We can supply HN3C51F-GR(TE85L,F, use the request quote form to request HN3C51F-GR(TE85L,F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HN3C51F-GR(TE85L,F.The price and lead time for HN3C51F-GR(TE85L,F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HN3C51F-GR(TE85L,F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Mga pagtutukoy
| Numero ng Panloob na Bahagi | RO-HN3C51F-GR(TE85L,F |
|---|---|
| Kondisyon | Original New |
| Bansa Pinagmulan | Contact us |
| Nangungunang Marking | email us |
| Kapalit | See datasheet |
| Boltahe - Kolektor Emitter Breakdown (Max): | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, IC: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Type transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Supplier aparato Package: | SM6 |
| serye: | - |
| Power - Max: | 300mW |
| packaging: | Original-Reel® |
| Package / Kaso: | SC-74, SOT-457 |
| Ibang pangalan: | HN3C51F-GR(TE85LF)DKR HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-ND HN3C51F-GR(TE85LFDKR |
| operating Temperature: | 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequency - Transition: | 100MHz |
| Detalyadong Paglalarawan: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| DC Kasalukuyang Gain (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Current - Kolektor Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Current - kolektor (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa HN3C51F-GR(TE85L,F
Latest News
- Ang Toshiba ay nakabuo ng unang 2200V dual -carbide MOSFET module upang matulungan ang mahusay at miniaturization ng pang -industriya na kagamitan
- Toshiba pinakawalan ang unang 200V output transistor car optocoupler
- Ang TOSHIBA ay naglulunsad ng isang mataas na ripple rejection ratio at mababang ingay na LDO regulator na may mas mataas na katatagan ng linya ng kapangyarihan
- Ipinakikilala ng TOSHIBA ang manipis at magaan na mga optocoupler para sa IGBT at MOSFET gate drive, operasyon ng mataas na temperatura, posisyon sa likod o pinaghihigpitan ng taas: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- Naglunsad ang TOSHIBA ng mga discrete na IGBT na makakatulong na mabawasan ang pagkonsumo ng kuryente at radiation ng mga gamit sa bahay: GT30J110SRA
- Inilunsad ng Toshiba ang 5A 2-channel H-bridge motor driver IC para sa mga awtomatikong aplikasyon
- Naglunsad ang Toshiba ng 5 mga hanay ng mga bagong TXZ + ™ advanced na mga microcontroller ng pamilya upang makamit ang mababang pagkonsumo ng kuryente, suporta sa miniaturization ng system at kontrol sa motor