Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2105ENG
EPC2105ENG
EPC2105ENG
Onderdeel nummer:
EPC2105ENG
Fabrikant:
EPC
Beschrijving:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS-status:
Loodvrij / RoHS-conform
hoeveelheid in voorraad:
83165 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Productie tijd:
4-8 weeks
Data papier:
EPC2105ENG.pdf
Onderzoek

Invoering

We can supply EPC2105ENG, use the request quote form to request EPC2105ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2105ENG.The price and lead time for EPC2105ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2105ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

bestek

Intern onderdeelnummer RO-EPC2105ENG
Staat Original New
Land van oorsprong Contact us
Top Markering email us
Vervanging See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 2.5mA
Leverancier Device Pakket:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vermogen - Max:-
Packaging:Bulk
Verpakking / doos:Die
Andere namen:EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
Temperatuur:-40°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
FET Type:2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):80V
gedetailleerde beschrijving:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor EPC2105ENG

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Onderzoek
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Onderzoek
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Onderzoek
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Onderzoek
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Onderzoek
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Onderzoek
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Onderzoek
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Onderzoek
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Onderzoek
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Onderzoek
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Onderzoek
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek

Latest Nieuws