내부 부품 번호 | RO-TPD3215M |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
제조업체 장치 패키지: | Module |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 34 mOhm @ 30A, 8V |
전력 - 최대: | 470W |
포장: | Bulk |
패키지 / 케이스: | Module |
다른 이름들: | TPH3215M TPH3215M-ND |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2260pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 28nC @ 8V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET 특징: | GaNFET (Gallium Nitride) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
상세 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |