내부 부품 번호 | RO-SI2337DS-T1-GE3 |
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조건 | Original New |
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최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | SOT-23-3 (TO-236) |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
전력 소비 (최대): | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
다른 이름들: | SI2337DS-T1-GE3-ND SI2337DS-T1-GE3TR SI2337DST1GE3 |
작동 온도: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 33 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 500pF @ 40V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 6V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 80V |
상세 설명: | P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |