내부 부품 번호 | RO-NTD4909NA-35G |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.2V @ 250µA |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | I-PAK |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8 mOhm @ 30A, 10V |
전력 소비 (최대): | - |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
작동 온도: | - |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1314pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 17.5nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
Email: | [email protected] |