내부 부품 번호 | RO-IRFS4010-7PPBF |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | D2PAK |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 4 mOhm @ 110A, 10V |
전력 소비 (최대): | 380W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
다른 이름들: | IRFS40107PPBF SP001552284 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 9830pF @ 50V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 230nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
상세 설명: | N-Channel 100V 190A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 190A (Tc) |
Email: | [email protected] |