HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS
제품 모델:
HGT1S12N60A4DS
제조사:
ON Semiconductor
기술:
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
31052 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
HGT1S12N60A4DS.pdf

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-HGT1S12N60A4DS
조건 Original New
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):2.7V @ 15V, 12A
시험 조건:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:17ns/96ns
에너지 전환:55µJ (on), 50µJ (off)
제조업체 장치 패키지:TO-263AB
연속:-
역 회복 시간 (trr):30ns
전력 - 최대:167W
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 유형:Standard
IGBT 유형:-
게이트 충전:78nC
상세 설명:IGBT 600V 54A 167W Surface Mount TO-263AB
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):96A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):54A
기본 부품 번호:HGT1S12N60
Email:[email protected]

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